峰值波長880nm近紅外增強硅雪崩光電二極管[880nm near-infrared (NIR) enhanced-sensitivity (ES) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用微型SD封裝，是低成本通用硅APD，針對880nm測距應(yīng)用進行了優(yōu)化。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：激光雷達、激光測距、激光通信等。

峰值905nm近紅外增強硅雪崩光電二極管[905nm near-infrared (NIR) enhanced-sensitivity (ES) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用微型SD封裝，是低成本通用硅APD，針對905nm測距應(yīng)用進行了優(yōu)化。主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：激光雷達、激光測距、激光通信等。

貫通型硅雪崩光電二極管[reach-through or punch-through (PT) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用特殊的“貫通、穿通、拉通”(reach-through or punch-through)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)特定擊穿電壓下快通慢耗，具有出色的量子效率和速度，適用于極低光照度的監(jiān)測。我司短交期供貨TO-5、TO-8、帶熱電冷卻器的密封式TO-37等封裝均包括尾纖、耦合[fiber-pigtailed (FP) or fiber-coupled (FC)]可選的該種貫通型Si-APD。雖比一般的外延型Si-APD，如近紅外增強型[near-infrared (NIR) enhanced-sensitivity (ES)]，造價更高，但獲得更高的響應(yīng)和增益，更寬的增益區(qū)，更平穩(wěn)的增益曲線，更可靠的耐擊穿特性以及更低的過剩噪聲系數(shù)。這使該種Si-APD能夠用于要求苛刻的應(yīng)用，包括熒光檢測、激光雷達、醫(yī)療設(shè)備等方面的應(yīng)用。