銦鎵砷光電二極管(indium gallium arsenide photodiodes, InGaAs-PD)屬于近紅外探測器(near-infrared detectors, NIRD)，噪聲低、速度快。相比Si材料，其能隙寬度更窄，因此波長范圍更大，響應度更高。我們除了提供1.7μm截止波長的通用型器件，還提供擴展型器件，并且可根據(jù)需要選擇適合的光敏面大小和探測器陣列。

硒化鉛紅外探測器[lead selenide (PbSe) infrared detectors (IRD)]一般為光導模式，截止波長可達5.2 um，與熱探測器相比有信噪比高、響應速度快、可以在室溫工作等優(yōu)點。但暗電阻和響應特性易受外界環(huán)境（紫外光、溫度）等影響，需要在穩(wěn)定環(huán)境中或制冷方式下使探測器工作在最佳狀態(tài)。

碲鎘汞紅外探測器[mercury cadmium telluride (HgCdTe or MCT) photodiode infrared detectors (IRD)]屬于光子型長波紅外(long wavelength infrared, LWIR)器件，半導體制冷(thermoelectrically cooled, TEC)的光譜響應范圍2um-9um，液氮或斯特靈制冷的光譜響應范圍可達2-24um，擁有長波紅外最高的信噪比與響應速度。主要應用領域包括氣體分析、紅外傅里葉光譜、熱成像、污染監(jiān)測等。

熱釋電紅外探測器(pyroelectric infrared detectors)能對全光譜信號產(chǎn)生響應，相比于其他熱探測器件有更好的信噪比與更快的響應速度。但由于窗口材料的限制，通常分為對氣體優(yōu)化的窄帶探測或針對中長波紅外的寬帶探測。我們可以提供的熱釋電材料有LTO(LiTaO3)與DLaTGS。

熱電堆(thermopile)屬于被動式熱輻射紅外探測器(passive radiation infrared detectors, IRD)，無需偏置和制冷且不產(chǎn)生輻射，全光譜覆蓋，可選擇濾色片、串口材料、熱敏電阻、視場、填充氣體以及內置電路等參數(shù)。應用：非接觸式測溫、氣體分析、火焰探測、熱成像、激光監(jiān)測、輻射度計等。

硫化鉛光電二極管紅外探測器[lead sulfide photodiode (PbS-PD) infrared detectors (IRD)]一般工作在光導模式下，截止波長達3.4μm。相比熱探測器，其信噪比更高，響應速度更快。但暗電阻和響應特性易受環(huán)境影響，需在穩(wěn)定環(huán)境或制冷下使用。主要用于火焰探測、紅外水分檢測、紅外光譜儀及非接觸測溫等領域。

砷化銦光電二極管(indium arsenide photodiodes, InAs-PD)的帶隙能量約為0.35eV，主要用于中紅外波段（3-5 um midwavelength infrared, MWIR）的光電探測(photodetectors)，相比InGaAs擴展型擁有更長的截止波長，更大的分流電阻，并且可以在室溫下工作。主要應用于非接觸式測溫、激光監(jiān)測、紅外分光光度計等領域。

銻化銦光電二極管(indium antimonide photodiodes, InSb-PD)屬于光子型中波紅外探測器(midwavelength infrared detectors, MWIRD)，光譜響應范圍1um-5.5um，相比PbS與PbSe等鉛鹽類探測器擁有更廣的光譜、更高的響應速度以及更高的信噪比。在氣體分析、光譜分析、輻射度計、紅外顯微等領域有廣泛應用。

砷化鎵光電二極管(gallium arsenide photodiodes, GaAs-PD)屬于近紅外探測器(near-infrared detectors, NIRD)，響應速度快，可用于光通訊、安防、光屏障等領域。我們提供的產(chǎn)品有陣列、芯片、內置前放等，可提供濾色片以及光纖接口選項。

鍺光電二極管(germanium photodiodes, Ge-PD)屬于近紅外探測器(near-infrared detectors, NIRD)，在1.1um到1.7um波長范圍內具有優(yōu)異的探測性能，目前應用于夜視設備、氣體分析、光譜分析、光纖通信等領域。我們還可以提供探測器模塊、多種光纖接口以及不同尺寸的尾纖選項。