碳化硅光電二極管(silicon carbide photodiodes, SiC-PD)作為日盲型探測器(solar-blind photodetector),具有高可靠性、強抗輻照及低溫度系數,優于普通硅(Si)型探測器,以高響應度、低暗電流滿足紫外應用。 磷化鎵光電二極管(gallium phosphide photodiodes, GaP-PD)光譜覆蓋廣,自紫外至綠光,尤其擅長近紫外探測。兩者各具特色,適用于不同紫外探測需求。
固態光電倍增管(silicon photomultiplier,SiPM, also multi-pixel photon counter)是由微型蓋革雪崩光電二極管(GM-APD)組成的面陣,能響應300nm到900nm的光譜,具有高達10E+6倍的增益和卓越的定時性能,可實現單光子等級的探測。此外,SiPM適合低壓工作,具有很強的溫度穩定性、抗磁能力和可靠性,可替代傳統的光電倍增管(photomultiplier tube, PMT)。
銦鎵砷雪崩光電二極管(indium gallium arsenide avalanche photodiodes, InGaAs-APD)覆蓋1000-1630nm波長,內增益機制使其增益比普通InGaAs-PD高約30倍,尤其適合1550nm應用。我們提供多種光敏尺寸,可選配制冷、尾纖及內置前放,靈活滿足高端探測需求。
雙色光波長探測器(dual sandwich wavelength detectors or two-color sandwich photodiodes)芯片頂部和底部包含兩種光電材料,是一種能在兩個不同顏色波長范圍內同時探測光信號的光電探測器(photodetectors, PD)。其可輸出兩路光電流信號,常用于測溫應用等參比信號測量,可提高被測物理量的精度和穩定性,擴大光譜探測范圍。
多類型光電探測器模塊(photodetector modules),包括即插即用型(含完整電路與接口)及小型定制集成OEM模塊,覆蓋寬譜并提供陣列模塊以適應復雜光學系統,支持根據具體需求優化與定制OEM模塊,歡迎來電詳詢。
單光子探測器(single photon detectors, SPD),基于APD蓋革模式(Geiger mode, GM),增益高達10E+6~10E+8倍,顯著提升信噪比,精準捕捉超弱光信號。我司提供GM-APD、CMOS SPADs及SiPM,三款先進單光子探測器件,滿足不同應用需求,從基礎科研到高端探測,全面覆蓋。
依托頂尖國際生產商與設計精英團隊,我們提供的圖像傳感器(image sensors),即便在極低光強下,仍確保超高清畫質與超寬HDR展現。提供全方位定制化服務,靈活融入各類應用場景,精準滿足客戶需求,引領視覺科技新高度。

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