高速通用型銦鎵砷光電二極管[standard high-speed indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]的截止波長為1.7μm，在1100nm到1620nm波長范圍內有出色的響應，對微弱信號具有高靈敏度。有多種配置可選，可帶透鏡、前放電路、插座式或尾纖封裝。主要應用包括：高速光通信、Gbit吉位寬高速以太網(wǎng)、光纖通道、ATM等。

高靈敏度通用型銦鎵砷光電二極管[standard high-sensitivity indium gallium arsenide photodiodes（InGaAs-PD)]采用截止波長為2.6um的PIN光電二極管，專為要求苛刻的光譜和輻射測量應用而設計，在寬光譜范圍內具有卓越的響應度。

高靈敏制冷型銦鎵砷光電二極管[thermoelectrically cooled (TEC) high-sensitivity indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]采用截止波長為2.6um的 PIN 光電二極管，專為要求苛刻的光譜和輻射測量應用而設計，其內部帶有制冷裝置，在寬光譜范圍內具有卓越的響應度。

高量子效率[high quantum efficiency (HQE) indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]系列主要應用于壓縮光領域，這些光電二極管針對特定波長、入射角和偏振進行了量身定制。

我們可根據(jù)應用需求提供InGaAs光電二極管芯片，芯片采用帶有AR涂層平窗的TO系列封裝。

4引腳TO封裝的內置前放高響應銦鎵砷光電二極管紅外光電探測器[high-responsivity amplified indium gallium arsenide photodiodes（InGaAs-PD)]集成了寬動態(tài)范圍跨阻放大器，為高速信號放大提供理想條件，賦予探測器卓越的靈敏度。

多元陣列高速系列中每個AR涂層元件都能達到2.5Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，在1100nm到1620nm波長范圍內有高響應度，專為多通道光纖應用而設計。

多元陣列高靈敏度系列擁有更高的靈敏度，設計用于過程控制、lR 光譜和生物醫(yī)學分析。

尾纖耦合系列高速型銦鎵砷光電二極管紅外探測器[fiber-coupled (FC) high-speed (HSP) indium gallium arsenide photodiode (InGaAs-PD) infrared detectors (IRD)]采用光纖尾纖封裝，單模/多模光纖與TO透鏡蓋封裝的設計提高了耦合效率和穩(wěn)定性。其高響應度和低電容，使其成為局域網(wǎng)等高速通信及監(jiān)控/儀器系統(tǒng)中超高比特率接收器的理想選擇。

InGaAs PIN模塊專為對低噪聲硅或銦鎵砷探測器感興趣的客戶設計。該系列集成在一個小型封裝中，可以非常容易地組裝到光學裝置中，還可以根據(jù)應用需求選擇合適的連接器或定制模塊。

InGaAs Line Array (LA) Diver (DRV) TEESS陣列驅動套件包括傳感器板、處理和控制單元、控制和數(shù)據(jù)分析軟件、電纜套件等組成部分。支持半導體制冷(thermoelectrically cooled, TEC)。